HCI设备的单一进水口改为多口进水方式, 以便于水扩散
将HCI设备的单一进水口改为多口进水方式, 以便于水扩散
提高氯化氢纯度增加产量,降低成本可以从主观和客观两方面进行考虑:
1、减小氢气压力、氯气压力波动。氯气是经过液化机组的尾氯和来自氯气分配台大约20%的原氯的混合气,在合成工段的氯气缓冲罐内混合,减少压力波动。
2、合成炉的灯头腐蚀是氯化氢纯度不稳定的另一主要因素。氯气和氢气在合成炉三层石英灯头处燃烧生产HCL气体,而因灯头腐蚀造成H2和CL2混合不均匀,影响氯化氢纯度波动。从合成炉换下的灯头可以发现灯头腐蚀严重,而造成腐蚀的主要因素是氢气和氯气含水量大。对此我们从氯氢处理工序严格控制各项温度等指标,降低含水量,同时增加频次对氯氢处理氢气总管的排水次数和新增加合成工段氢气总管的氢气导零。而对于氯气含水我们则严格控制泡罩塔的浓硫酸加入量和出酸浓度,降低氯气含水。
合成氯化氢气体的过程,为了减少对于合成炉的腐蚀,合成炉的各个工作部件都有不同的防腐措施,具体表现在以下几方面:
1、将进水口设置在夹套的上部,使刚进入夹套的冷却水与夹套中由下部向上升的热水形成对流混合,避免从底部进水时冷水在底部的沉积。
2、将氯化氢气体设备的单一进水口改为多口进水方式, 以便于水扩散,防止局部过冷。
3、在氯化氢气体设备的进水口水流部位炉体上增设挡板,以有效防止冷却水直冲炉体,避免进水口处低温氢去极化腐蚀。
由于冷却水进水口处的冷水直冲炉内壁,致使该处炉内壁长期低于氯化氢气体合成气露点,是最先腐蚀损坏部位。所以采用上述三种方法进行防腐是非常重要的。
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